MRFE6VP6300GSR5
NXP Semiconductors
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
NPT1012B
Модель：
NPT1012B
Категории товаров：
РЧ полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Описание：
RF MOSFET HEMT 28V
Инкапсуляция：
Tray
Статус ROHS:
Да
Валюта:
USD
Основные параметры
- Напряжение - Тест 28 V
- Прирост 13dB
- Технологии HEMT
- Напряжение - номинальное 100 V
- Частота 0Hz ~ 4GHz
- Текущий — Тест 225 mA
