MRFE6VP6300GSR5
NXP Semiconductors
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
NPT35015D
Модель：
NPT35015D
Категории товаров：
РЧ полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Описание：
RF MOSFET HEMT 28V 8SOIC
Инкапсуляция：
Tube
Статус ROHS:
Да
Валюта:
USD
PDF:
Материалы
Основные параметры
- Тип монтажа Surface Mount
- Текущий рейтинг (А) 5A
- Пакет/кейс 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
- Пакет устройств поставщика 8-SOIC-EP
- Напряжение - Тест 28 V
- Технологии HEMT
- Текущий — Тест 200 mA
- Напряжение - номинальное 100 V
- Прирост 10.5dB
- Частота 3.3GHz ~ 3.8GHz
- Выходная мощность 1.7W
