MRFE6VP6300GSR5
NXP Semiconductors
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
NPT35050AB
Модель：
NPT35050AB
Категории товаров：
РЧ полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Описание：
RF MOSFET HEMT 28V
Инкапсуляция：
-
Статус ROHS:
-
Валюта:
USD
Основные параметры
- Напряжение - Тест 28 V
- Технологии HEMT
- Текущий — Тест 750 mA
- Прирост 12dB
- Напряжение - номинальное 100 V
- Выходная мощность 6W
- Частота 3.3GHz ~ 3.8GHz
- Текущий рейтинг (А) 19.5A
