FPF1C2P5BF07A
Sanyo Semiconductor/onsemi
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
NVMD6N03R2G
Модель：
NVMD6N03R2G
Категории товаров：
Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
Бренд：
Sanyo Semiconductor/onsemi
Описание：
MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
Инкапсуляция：
-
Статус ROHS:
-
Валюта:
USD
PDF:
Материалы
Основные параметры
- Тип монтажа Surface Mount
- Оценка Automotive
- Пакет устройств поставщика 8-SOIC
- Пакет/кейс 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Особенность полевого транзистора Logic Level Gate
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 30V
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 2.5V @ 250µA
- Квалификация AEC-Q101
- Конфигурация 2 N-Channel (Dual)
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 6A
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 32mOhm @ 6A, 10V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 30nC @ 10V
- Мощность - Макс. 1.29W
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 950pF @ 24V
