FPF1C2P5BF07A
Sanyo Semiconductor/onsemi
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
NVMD6P02R2G
Модель：
NVMD6P02R2G
Категории товаров：
Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
Бренд：
Sanyo Semiconductor/onsemi
Описание：
MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8SOIC
Инкапсуляция：
-
Статус ROHS:
Да
Валюта:
USD
Основные параметры
- Тип монтажа Surface Mount
- Оценка Automotive
- Пакет устройств поставщика 8-SOIC
- Пакет/кейс 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Особенность полевого транзистора Logic Level Gate
- Квалификация AEC-Q101
- Vgs(th) (Макс) @ Id 1.2V @ 250µA
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 20V
- Конфигурация 2 P-Channel (Dual)
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 4.8A
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 33mOhm @ 6.2A, 4.5V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 35nC @ 4.5V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1700pF @ 16V
- Мощность - Макс. 750mW
