NVMFD5485NLWFT1G

NVMFD5485NLWFT1G

Модель: NVMFD5485NLWFT1G
Описание: MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8DFN
Инкапсуляция: -
Статус ROHS: Да
Валюта: USD

Основные параметры

  • Тип монтажа Surface Mount
  • Оценка Automotive
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Особенность полевого транзистора Logic Level Gate
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 2.5V @ 250µA
  • Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Квалификация AEC-Q101
  • Пакет/кейс 8-PowerTDFN
  • Конфигурация 2 N-Channel (Dual)
  • Пакет устройств поставщика 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 60V
  • Мощность - Макс. 2.9W
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 5.3A
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 20nC @ 10V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 560pF @ 25V
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 44mOhm @ 15A, 10V