NVMFD5489NLT1G

NVMFD5489NLT1G

Модель: NVMFD5489NLT1G
Описание: MOSFET 2N-CH 60V 4.5A 8DFN
Инкапсуляция: -
Статус ROHS: Да
Валюта: USD

Основные параметры

  • Тип монтажа Surface Mount
  • Оценка Automotive
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Особенность полевого транзистора Logic Level Gate
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 2.5V @ 250µA
  • Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Квалификация AEC-Q101
  • Пакет/кейс 8-PowerTDFN
  • Конфигурация 2 N-Channel (Dual)
  • Пакет устройств поставщика 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 60V
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 4.5A
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 65mOhm @ 15A, 10V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 330pF @ 25V
  • Мощность - Макс. 3W
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 12.4nC @ 10V