FPF1C2P5BF07A
Sanyo Semiconductor/onsemi
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
PMDPB42UN,115
Модель：
PMDPB42UN,115
Категории товаров：
Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
Бренд：
NXP Semiconductors
Описание：
MOSFET 2N-CH 20V 3.9A 6HUSON
Инкапсуляция：
-
Статус ROHS:
Да
Валюта:
USD
Основные параметры
- Тип монтажа Surface Mount
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Особенность полевого транзистора Logic Level Gate
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Конфигурация 2 N-Channel (Dual)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 1V @ 250µA
- Пакет/кейс 6-UDFN Exposed Pad
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 20V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 3.5nC @ 4.5V
- Мощность - Макс. 510mW
- Пакет устройств поставщика 6-HUSON (2x2)
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 3.9A
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 50mOhm @ 3.9A, 4.5V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 185pF @ 10V
