FPF1C2P5BF07A
Sanyo Semiconductor/onsemi
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
PMDPB80XP,115
Модель：
PMDPB80XP,115
Категории товаров：
Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
Бренд：
Nexperia
Описание：
MOSFET 2P-CH 20V 2.7A 6HUSON
Инкапсуляция：
Tape & Reel (TR)
Статус ROHS:
Да
Валюта:
USD
Основные параметры
- Тип монтажа Surface Mount
- Пакет/кейс 6-UFDFN Exposed Pad
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 1V @ 250µA
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 20V
- Конфигурация 2 P-Channel (Dual)
- Особенность полевого транзистора Logic Level Gate, 1.8V Drive
- Пакет устройств поставщика 6-HUSON (2x2)
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 550pF @ 10V
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 2.7A
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 8.6nC @ 4.5V
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 102mOhm @ 2.7A, 4.5V
- Мощность - Макс. 485mW
