FPF1C2P5BF07A
Sanyo Semiconductor/onsemi
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
PMDPB85UPE,115
Модель：
PMDPB85UPE,115
Категории товаров：
Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
Бренд：
Nexperia
Описание：
MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6HUSON
Инкапсуляция：
Tape & Reel (TR)
Статус ROHS:
Да
Валюта:
USD
Основные параметры
- Тип монтажа Surface Mount
- Пакет/кейс 6-UFDFN Exposed Pad
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Особенность полевого транзистора Logic Level Gate
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 20V
- Конфигурация 2 P-Channel (Dual)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 950mV @ 250µA
- Пакет устройств поставщика 6-HUSON (2x2)
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 2.9A
- Мощность - Макс. 515mW
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 103mOhm @ 1.3A, 4.5V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 8.1nC @ 4.5V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 514pF @ 10V
