FPF1C2P5BF07A
Sanyo Semiconductor/onsemi
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
PMGD175XN,115
Модель：
PMGD175XN,115
Категории товаров：
Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
Бренд：
NXP Semiconductors
Описание：
MOSFET 2N-CH 30V 0.9A 6TSSOP
Инкапсуляция：
-
Статус ROHS:
Да
Валюта:
USD
Основные параметры
- Тип монтажа Surface Mount
- Пакет/кейс 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Особенность полевого транзистора Logic Level Gate
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 30V
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Конфигурация 2 N-Channel (Dual)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 1.5V @ 250µA
- Пакет устройств поставщика 6-TSSOP
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 1.1nC @ 4.5V
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 900mA
- Мощность - Макс. 390mW
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 75pF @ 15V
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 225mOhm @ 1A, 4.5V
