MRFE6VP6300GSR5
NXP Semiconductors
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Дружеские ссылки
Sitemap
PTFA220081M-V4
Модель：
PTFA220081M-V4
Категории товаров：
РЧ полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Описание：
RF MOSFET LDMOS 28V 10SON
Инкапсуляция：
-
Статус ROHS:
-
Валюта:
USD
Основные параметры
- Тип монтажа Surface Mount
- Напряжение - Тест 28 V
- Напряжение - номинальное 65 V
- Технологии LDMOS
- Текущий — Тест 100 mA
- Выходная мощность 8W
- Частота 940MHz
- Пакет/кейс 10-LDFN Exposed Pad
- Пакет устройств поставщика PG-SON-10
- Прирост 20.7dB
