MRFE6VP6300GSR5
NXP Semiconductors
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
PTFB191501EV1XWSA1
Модель：
PTFB191501EV1XWSA1
Категории товаров：
РЧ полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Бренд：
IR (Infineon Technologies)
Описание：
RF MOSFET LDMOS 30V H-36248-2
Инкапсуляция：
-
Статус ROHS:
-
Валюта:
USD
Основные параметры
- Тип монтажа Surface Mount
- Напряжение - номинальное 65 V
- Технологии LDMOS
- Частота 1.99GHz
- Напряжение - Тест 30 V
- Прирост 18dB
- Текущий — Тест 1.2 A
- Выходная мощность 150W
- Пакет/кейс 2-Flatpack, Fin Leads
- Пакет устройств поставщика H-36248-2
