FPF1C2P5BF07A
Sanyo Semiconductor/onsemi
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
QS8J12TCR
Модель：
QS8J12TCR
Категории товаров：
Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
Бренд：
ROHM Semiconductor
Описание：
MOSFET 2P-CH 12V 4.5A TSMT8
Инкапсуляция：
-
Статус ROHS:
Да
Валюта:
USD
Основные параметры
- Тип монтажа Surface Mount
- Рабочая Температура 150°C (TJ)
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Конфигурация 2 P-Channel (Dual)
- Пакет устройств поставщика TSMT8
- Vgs(th) (Макс) @ Id 1V @ 1mA
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 12V
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 4.5A
- Особенность полевого транзистора Logic Level Gate, 1.5V Drive
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 40nC @ 4.5V
- Мощность - Макс. 550mW
- Пакет/кейс 8-SMD, Flat Leads
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 29mOhm @ 4.5A, 4.5V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 4200pF @ 6V
