QS8J1TR

QS8J1TR

Модель: QS8J1TR
Бренд: ROHM Semiconductor
Описание: MOSFET 2P-CH 12V 4.5A TSMT8
Инкапсуляция: Tape & Reel (TR)
Статус ROHS: Да
Валюта: USD

Основные параметры

  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Особенность полевого транзистора Logic Level Gate
  • Мощность - Макс. 1.5W
  • Конфигурация 2 P-Channel (Dual)
  • Пакет устройств поставщика TSMT8
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 1V @ 1mA
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 12V
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 4.5A
  • Пакет/кейс 8-SMD, Flat Leads
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 29mOhm @ 4.5A, 4.5V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 31nC @ 4.5V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 2450pF @ 6V