FPF1C2P5BF07A
Sanyo Semiconductor/onsemi
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
QS8M12TCR
Модель：
QS8M12TCR
Категории товаров：
Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
Бренд：
ROHM Semiconductor
Описание：
MOSFET N/P-CH 30V 4A TSMT8
Инкапсуляция：
Tape & Reel (TR)
Статус ROHS:
Да
Валюта:
USD
PDF:
Материалы
Основные параметры
- Тип монтажа Surface Mount
- Рабочая Температура 150°C (TJ)
- Пакет/кейс 8-SMD, Flat Lead
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Конфигурация N and P-Channel
- Особенность полевого транзистора Logic Level Gate
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 30V
- Vgs(th) (Макс) @ Id 2.5V @ 1mA
- Мощность - Макс. 1.5W
- Пакет устройств поставщика TSMT8
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 250pF @ 10V
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 4A
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 42mOhm @ 4A, 10V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 3.4nC @ 5V
