FGH75T65SHD-F155
Sanyo Semiconductor/onsemi
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
RGTH60TS65DGC11
Модель：
RGTH60TS65DGC11
Категории товаров：
Одиночные IGBT
Бренд：
ROHM Semiconductor
Описание：
IGBT TRNCH FIELD 650V 58A TO247N
Инкапсуляция：
Tube
Статус ROHS:
Да
Валюта:
USD
Основные параметры
- Тип монтажа Through Hole
- Рабочая Температура -40°C ~ 175°C (TJ)
- Тип БТИЗ Trench Field Stop
- Тип ввода Standard
- Пакет/кейс TO-247-3
- Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 650 V
- Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 30A
- Пакет устройств поставщика TO-247N
- Ток-коллекторный импульсный (Icm) 120 A
- Условия испытания 400V, 30A, 10Ohm, 15V
- Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 58 A
- Время обратного восстановления (trr) 58 ns
- Мощность - Макс. 194 W
- Заряд от ворот 58 nC
- Td (вкл/выкл) при 25°C 27ns/105ns
