FGH75T65SHD-F155
Sanyo Semiconductor/onsemi
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
RGTH80TS65DGC11
Модель：
RGTH80TS65DGC11
Категории товаров：
Одиночные IGBT
Бренд：
ROHM Semiconductor
Описание：
IGBT TRNCH FIELD 650V 70A TO247N
Инкапсуляция：
-
Статус ROHS:
Да
Валюта:
USD
Основные параметры
- Тип монтажа Through Hole
- Рабочая Температура -40°C ~ 175°C (TJ)
- Тип БТИЗ Trench Field Stop
- Тип ввода Standard
- Ток-коллекторный импульсный (Icm) 160 A
- Пакет/кейс TO-247-3
- Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 650 V
- Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 70 A
- Пакет устройств поставщика TO-247N
- Условия испытания 400V, 40A, 10Ohm, 15V
- Время обратного восстановления (trr) 58 ns
- Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 40A
- Заряд от ворот 79 nC
- Td (вкл/выкл) при 25°C 34ns/120ns
- Мощность - Макс. 234 W
