FGH75T65SHD-F155
Sanyo Semiconductor/onsemi
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
RJH1CV7DPQ-E0#T2
Модель：
RJH1CV7DPQ-E0#T2
Категории товаров：
Одиночные IGBT
Описание：
IGBT TRENCH 1200V 70A TO247
Инкапсуляция：
-
Статус ROHS:
Да
Валюта:
USD
Основные параметры
- Тип монтажа Through Hole
- Рабочая Температура 150°C (TJ)
- Тип БТИЗ Trench
- Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 1200 V
- Тип ввода Standard
- Время обратного восстановления (trr) 200 ns
- Пакет/кейс TO-247-3
- Пакет устройств поставщика TO-247
- Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 70 A
- Мощность - Макс. 320 W
- Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 35A
- Переключение энергии 3.2mJ (on), 2.5mJ (off)
- Заряд от ворот 166 nC
- Td (вкл/выкл) при 25°C 53ns/185ns
- Условия испытания 600V, 35A, 5Ohm, 15V
