FGH75T65SHD-F155
Sanyo Semiconductor/onsemi
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
RJH60D5DPK-00#T0
Модель：
RJH60D5DPK-00#T0
Категории товаров：
Одиночные IGBT
Описание：
IGBT TRENCH 600V 75A TO3P
Инкапсуляция：
-
Статус ROHS:
Да
Валюта:
USD
Основные параметры
- Тип монтажа Through Hole
- Мощность - Макс. 200 W
- Рабочая Температура 150°C (TJ)
- Тип БТИЗ Trench
- Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 600 V
- Пакет устройств поставщика TO-3P
- Пакет/кейс TO-3P-3, SC-65-3
- Тип ввода Standard
- Время обратного восстановления (trr) 100 ns
- Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 75 A
- Заряд от ворот 78 nC
- Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 37A
- Td (вкл/выкл) при 25°C 50ns/135ns
- Условия испытания 300V, 37A, 5Ohm, 15V
- Переключение энергии 650µJ (on), 400µJ (off)
