FPF1C2P5BF07A
Sanyo Semiconductor/onsemi
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
RJM0306JSP-01#J0
Модель：
RJM0306JSP-01#J0
Категории товаров：
Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
Описание：
MOSFET 2N/2P-CH 30V 3.5A 8SOP
Инкапсуляция：
-
Статус ROHS:
Да
Валюта:
USD
Основные параметры
- Тип монтажа Surface Mount
- Пакет/кейс 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Пакет устройств поставщика 8-SOP
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 30V
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 3.5A
- Особенность полевого транзистора Logic Level Gate, 4V Drive
- Мощность - Макс. 2.2W
- Конфигурация 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 5nC @ 10V
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 65mOhm @ 2A, 10V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 290pF @ 10V
