FPF1C2P5BF07A
Sanyo Semiconductor/onsemi
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
SI4909DY-T1-GE3
Модель：
SI4909DY-T1-GE3
Категории товаров：
Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
Бренд：
Vishay / Siliconix
Описание：
MOSFET 2P-CH 40V 8A 8SOIC
Инкапсуляция：
Tape & Reel (TR)
Статус ROHS:
Да
Валюта:
USD
Основные параметры
- Тип монтажа Surface Mount
- Пакет устройств поставщика 8-SOIC
- Пакет/кейс 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Особенность полевого транзистора Logic Level Gate
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 2.5V @ 250µA
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 40V
- Конфигурация 2 P-Channel (Dual)
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 8A
- Мощность - Макс. 3.2W
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 27mOhm @ 8A, 10V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 63nC @ 10V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 2000pF @ 20V
