FPF1C2P5BF07A
Sanyo Semiconductor/onsemi
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
SI5999EDU-T1-GE3
Модель：
SI5999EDU-T1-GE3
Категории товаров：
Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
Бренд：
Vishay / Siliconix
Описание：
MOSFET 2P-CH 20V 6A PPAK CHIPFET
Инкапсуляция：
-
Статус ROHS:
Да
Валюта:
USD
Основные параметры
- Тип монтажа Surface Mount
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Особенность полевого транзистора Logic Level Gate
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 20V
- Vgs(th) (Макс) @ Id 1.5V @ 250µA
- Конфигурация 2 P-Channel (Dual)
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 6A
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 20nC @ 10V
- Мощность - Макс. 10.4W
- Пакет/кейс PowerPAK® ChipFET™ Dual
- Пакет устройств поставщика PowerPAK® ChipFet Dual
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 59mOhm @ 3.5A, 4.5V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 496pF @ 10V
