FPF1C2P5BF07A
Sanyo Semiconductor/onsemi
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
SIR770DP-T1-GE3
Модель：
SIR770DP-T1-GE3
Категории товаров：
Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
Бренд：
Vishay / Siliconix
Описание：
MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO8
Инкапсуляция：
Tape & Reel (TR)
Статус ROHS:
Да
Валюта:
USD
Основные параметры
- Тип монтажа Surface Mount
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Особенность полевого транзистора Logic Level Gate
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 30V
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Конфигурация 2 N-Channel (Dual)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 21mOhm @ 8A, 10V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 900pF @ 15V
- Vgs(th) (Макс) @ Id 2.8V @ 250µA
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 8A
- Пакет/кейс PowerPAK® SO-8 Dual
- Пакет устройств поставщика PowerPAK® SO-8 Dual
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 21nC @ 10V
- Мощность - Макс. 17.8W
