FPF1C2P5BF07A
Sanyo Semiconductor/onsemi
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
SP8J1FU6TB
Модель：
SP8J1FU6TB
Категории товаров：
Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
Бренд：
ROHM Semiconductor
Описание：
MOSFET 2P-CH 30V 5A 8SOP
Инкапсуляция：
-
Статус ROHS:
Да
Валюта:
USD
PDF:
Материалы
Основные параметры
- Тип монтажа Surface Mount
- Пакет/кейс 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Пакет устройств поставщика 8-SOP
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Особенность полевого транзистора Logic Level Gate
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 30V
- Vgs(th) (Макс) @ Id 2.5V @ 1mA
- Мощность - Макс. 2W
- Конфигурация 2 P-Channel (Dual)
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 5A
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 42mOhm @ 5A, 10V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1400pF @ 10V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 16nC @ 5V
