SQJ962EP-T1-GE3

SQJ962EP-T1-GE3

Модель: SQJ962EP-T1-GE3
Бренд: Vishay / Siliconix
Описание: MOSFET 2N-CH 60V 8A PPAK SO8
Инкапсуляция: -
Статус ROHS: Да
Валюта: USD

Основные параметры

  • Тип монтажа Surface Mount
  • Оценка Automotive
  • Мощность - Макс. 25W
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Особенность полевого транзистора Logic Level Gate
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 2.5V @ 250µA
  • Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Квалификация AEC-Q101
  • Конфигурация 2 N-Channel (Dual)
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 60V
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 8A
  • Пакет/кейс PowerPAK® SO-8 Dual
  • Пакет устройств поставщика PowerPAK® SO-8 Dual
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 14nC @ 10V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 475pF @ 25V
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 60mOhm @ 4.3A, 10V