FPF1C2P5BF07A
Sanyo Semiconductor/onsemi
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
SSM6L09FUTE85LF
Модель：
SSM6L09FUTE85LF
Категории товаров：
Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
Описание：
MOSFET N/P-CH 30V 0.4A/0.2A US6
Инкапсуляция：
Tape & Reel (TR)
Статус ROHS:
Да
Валюта:
USD
PDF:
Материалы
Основные параметры
- Тип монтажа Surface Mount
- Пакет/кейс 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- Рабочая Температура 150°C (TJ)
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Конфигурация N and P-Channel
- Особенность полевого транзистора Logic Level Gate
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 30V
- Мощность - Макс. 300mW
- Пакет устройств поставщика US6
- Vgs(th) (Макс) @ Id 1.8V @ 100µA
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 20pF @ 5V
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 400mA, 200mA
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 700mOhm @ 200MA, 10V
