Russian
中文
English
Russian
Главная страница
Продукция
Основные бренды
Новости
Сервис и поддержка
О нас
Контакты
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
Russian
中文
English
Russian
Главная страница
Продукция
Основные бренды
Новости
Сервис и поддержка
О нас
Контакты
Главная страница
/
Центр продукции
/
Дискретные полупроводниковые изделия
/
Транзисторы
/
БТИЗ
/
Одиночные IGBT
/
STGW80H65FB
STGW80H65FB
Модель:
STGW80H65FB
Категории товаров:
Одиночные IGBT
Бренд:
STMicroelectronics
Описание:
IGBT 650V 120A 469W TO-247
Инкапсуляция:
-
Статус ROHS:
Да
Валюта:
USD
PDF:
Материалы
Материалы
Количество
Запросить цену сейчас
Добавить в запрос цены
Основные параметры
Тип монтажа
Through Hole
Рабочая Температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип БТИЗ
Trench Field Stop
Тип ввода
Standard
Пакет/кейс
TO-247-3
Пакет устройств поставщика
TO-247-3
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.)
650 V
Ток-коллекторный импульсный (Icm)
240 A
Ток-Коллектор (Ic) (Макс)
120 A
Мощность - Макс.
469 W
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
2V @ 15V, 80A
Переключение энергии
2.1mJ (on), 1.5mJ (off)
Заряд от ворот
414 nC
Td (вкл/выкл) при 25°C
84ns/280ns
Условия испытания
400V, 80A, 10Ohm, 15V
Рекомендуемые модели
FGH75T65SHD-F155
Sanyo Semiconductor/onsemi
FGH60T65SHD-F155
Sanyo Semiconductor/onsemi
FGH40T65SHD-F155
Sanyo Semiconductor/onsemi
FGA25S125P-SN00337
Sanyo Semiconductor/onsemi
IRGS4715DPBF
IR (Infineon Technologies)
IRGP4790PBF
IR (Infineon Technologies)
IRGP4790-EPBF
IR (Infineon Technologies)
IRGP4790DPBF
IR (Infineon Technologies)
IRGP4790D-EPBF
IR (Infineon Technologies)
IRGP4760PBF
IR (Infineon Technologies)
3004073820 / 3004073823
86-13823752328
jack@hk-east.com
86-13823752328
Добавить в запрос цены
Наверх