Russian
中文
English
Russian
Главная страница
Продукция
Основные бренды
Новости
Сервис и поддержка
О нас
Контакты
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
Russian
中文
English
Russian
Главная страница
Продукция
Основные бренды
Новости
Сервис и поддержка
О нас
Контакты
Главная страница
/
Центр продукции
/
Дискретные полупроводниковые изделия
/
Транзисторы
/
БТИЗ
/
Одиночные IGBT
/
STGWT30H60DFB
STGWT30H60DFB
Модель:
STGWT30H60DFB
Категории товаров:
Одиночные IGBT
Бренд:
STMicroelectronics
Описание:
IGBT 600V 60A 260W TO3PL
Инкапсуляция:
Tube
Статус ROHS:
Да
Валюта:
USD
PDF:
Материалы
Материалы
Количество
Запросить цену сейчас
Добавить в запрос цены
Основные параметры
Тип монтажа
Through Hole
Рабочая Температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип БТИЗ
Trench Field Stop
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.)
600 V
Пакет устройств поставщика
TO-3P
Пакет/кейс
TO-3P-3, SC-65-3
Тип ввода
Standard
Ток-Коллектор (Ic) (Макс)
60 A
Время обратного восстановления (trr)
53 ns
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
2V @ 15V, 30A
Ток-коллекторный импульсный (Icm)
120 A
Мощность - Макс.
260 W
Заряд от ворот
149 nC
Условия испытания
400V, 30A, 10Ohm, 15V
Переключение энергии
383µJ (on), 293µJ (off)
Td (вкл/выкл) при 25°C
37ns/146ns
Рекомендуемые модели
FGH75T65SHD-F155
Sanyo Semiconductor/onsemi
FGH60T65SHD-F155
Sanyo Semiconductor/onsemi
FGH40T65SHD-F155
Sanyo Semiconductor/onsemi
FGA25S125P-SN00337
Sanyo Semiconductor/onsemi
IRGS4715DPBF
IR (Infineon Technologies)
IRGP4790PBF
IR (Infineon Technologies)
IRGP4790-EPBF
IR (Infineon Technologies)
IRGP4790DPBF
IR (Infineon Technologies)
IRGP4790D-EPBF
IR (Infineon Technologies)
IRGP4760PBF
IR (Infineon Technologies)
3004073820 / 3004073823
86-13823752328
jack@hk-east.com
86-13823752328
Добавить в запрос цены
Наверх