FPF1C2P5BF07A
Sanyo Semiconductor/onsemi
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
UP04878G0L
Модель：
UP04878G0L
Категории товаров：
Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
Описание：
MOSFET 2N-CH 50V 0.1A SSMINI6
Инкапсуляция：
-
Статус ROHS:
-
Валюта:
USD
PDF:
Материалы
Основные параметры
- Тип монтажа Surface Mount
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Особенность полевого транзистора Logic Level Gate
- Рабочая Температура 125°C (TJ)
- Конфигурация 2 N-Channel (Dual)
- Пакет/кейс SOT-563, SOT-666
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 50V
- Vgs(th) (Макс) @ Id 1.5V @ 1µA
- Мощность - Макс. 125mW
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 100mA
- Пакет устройств поставщика SSMini6-F2
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 12Ohm @ 10mA, 4V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 12pF @ 3V
