FPF1C2P5BF07A
Sanyo Semiconductor/onsemi
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
UPA1857GR-9JG-E1-A
Модель：
UPA1857GR-9JG-E1-A
Категории товаров：
Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
Описание：
MOSFET 2N-CH 60V 3.8A 8TSSOP
Инкапсуляция：
-
Статус ROHS:
Да
Валюта:
USD
Основные параметры
- Тип монтажа Surface Mount
- Пакет/кейс 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
- Пакет устройств поставщика 8-TSSOP
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Особенность полевого транзистора Logic Level Gate
- Vgs(th) (Макс) @ Id 2.5V @ 1mA
- Конфигурация 2 N-Channel (Dual)
- Мощность - Макс. 1.7W
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 60V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 12nC @ 10V
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 3.8A
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 67mOhm @ 2A, 10V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 580pF @ 10V
