FPF1C2P5BF07A
Sanyo Semiconductor/onsemi
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
UPA2660T1R-E2-AX
Модель：
UPA2660T1R-E2-AX
Категории товаров：
Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
Описание：
MOSFET 2N-CH 20V 4A 6HUSON
Инкапсуляция：
-
Статус ROHS:
Да
Валюта:
USD
Основные параметры
- Тип монтажа Surface Mount
- Пакет/кейс 6-WFDFN Exposed Pad
- Рабочая Температура 150°C (TJ)
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Конфигурация 2 N-Channel (Dual)
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 20V
- Особенность полевого транзистора Logic Level Gate, 2.5V Drive
- Мощность - Макс. 2.3W
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 4A
- Пакет устройств поставщика 6-HUSON (2x2)
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 4.5nC @ 10V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 330pF @ 10V
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 62mOhm @ 2A, 4.5V
