FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
2N6660
Модель：
2N6660
Категории товаров：
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Описание：
MOSFET N-CH 60V 410MA TO39
Инкапсуляция：
-
Статус ROHS:
-
Валюта:
USD
Основные параметры
- Тип монтажа Through Hole
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 60 V
- ВГС (Макс) ±20V
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 2V @ 1mA
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 5V, 10V
- Пакет/кейс TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
- Пакет устройств поставщика TO-39
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 410mA (Ta)
- Рассеиваемая мощность (макс.) 6.25W (Tc)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 3Ohm @ 1A, 10V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 50 pF @ 24 V
