Дискретные полевые транзисторы (FET) широко применяются в преобразовании энергии, управлении электродвигателями, твердотельном освещении и других областях, где их характерное свойство — возможность включения и выключения на высоких частотах при пропускании значительных токов — оказывается преимуществом. Они практически повсеместно используются в приложениях с номинальным напряжением до нескольких сотен вольт; при более высоких значениях напряжения конкурентоспособными становятся другие типы устройств, такие как IGBT.