FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
IRFH7188TRPBF
Модель：
IRFH7188TRPBF
Категории товаров：
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Бренд：
IR (Infineon Technologies)
Описание：
MOSFET N-CH 100V 18A/105A PQFN
Инкапсуляция：
-
Статус ROHS:
-
Валюта:
USD
Основные параметры
- Тип монтажа Surface Mount
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- ВГС (Макс) ±20V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 100 V
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 10V
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Пакет/кейс 8-PowerTDFN
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 50 nC @ 10 V
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 6mOhm @ 50A, 10V
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 18A (Ta), 105A (Tc)
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 2116 pF @ 50 V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 3.8W (Ta), 132W (Tc)
- Пакет устройств поставщика PQFN (5x6)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 3.9V @ 150µA
