FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
2N6766
Модель：
2N6766
Категории товаров：
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Бренд：
Microsemi Corporation
Описание：
MOSFET N-CH 200V 30A TO3
Инкапсуляция：
-
Статус ROHS:
-
Валюта:
USD
Основные параметры
- Тип монтажа Through Hole
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- ВГС (Макс) ±20V
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 10V
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 4V @ 250µA
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 200 V
- Пакет/кейс TO-204AE
- Пакет устройств поставщика TO-3
- Рассеиваемая мощность (макс.) 4W (Ta), 150W (Tc)
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 30A (Tc)
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 115 nC @ 10 V
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 90mOhm @ 30A, 10V
