FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
2N7000-G
Модель：
2N7000-G
Категории товаров：
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Описание：
MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Инкапсуляция：
-
Статус ROHS:
Да
Валюта:
USD
Основные параметры
- Тип монтажа Through Hole
- Пакет устройств поставщика TO-92-3
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 60 V
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4.5V, 10V
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- ВГС (Макс) ±30V
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 5Ohm @ 500mA, 10V
- Пакет/кейс TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
- Рассеиваемая мощность (макс.) 1W (Tc)
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 60 pF @ 25 V
- Vgs(th) (Макс) @ Id 3V @ 1mA
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 200mA (Tj)
