FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
Основные параметры
- Тип монтажа Surface Mount
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 60 V
- ВГС (Макс) ±20V
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 10V
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 2.1V @ 250µA
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 50 pF @ 10 V
- Пакет устройств поставщика DFN1006B-3
- Пакет/кейс 3-XFDFN
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 0.6 nC @ 4.5 V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 360mW (Ta)
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 450mA (Ta)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 1.6Ohm @ 450mA, 10V
