2SJ649-AZ

2SJ649-AZ

Модель: 2SJ649-AZ
Описание: MOSFET P-CH 60V 20A TO220
Инкапсуляция: -
Статус ROHS: Да
Валюта: USD

Основные параметры

  • Тип монтажа Through Hole
  • Рабочая Температура 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 60 V
  • ВГС (Макс) ±20V
  • Тип полевого транзистора P-Channel
  • Пакет/кейс TO-220-3 Isolated Tab
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 20A (Tc)
  • Пакет устройств поставщика TO-220 Isolated Tab
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 38 nC @ 10 V
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4V, 10V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1900 pF @ 10 V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 2W (Ta), 25W (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 48mOhm @ 10A, 10V