2SJ661-DL-1E

2SJ661-DL-1E

Модель: 2SJ661-DL-1E
Описание: MOSFET P-CH 60V 38A TO263-2
Инкапсуляция: -
Статус ROHS: Да
Валюта: USD

Основные параметры

  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 60 V
  • ВГС (Макс) ±20V
  • Тип полевого транзистора P-Channel
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 80 nC @ 10 V
  • Пакет/кейс TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4V, 10V
  • Пакет устройств поставщика TO-263-2
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 38A (Ta)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 39mOhm @ 19A, 10V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 4360 pF @ 20 V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 1.65W (Ta), 65W (Tc)