2SK3065T100

2SK3065T100

Модель: 2SK3065T100
Бренд: ROHM Semiconductor
Описание: MOSFET N-CH 60V 2A MPT3
Инкапсуляция: Tape & Reel (TR)
Статус ROHS: Да
Валюта: USD

Основные параметры

  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура 150°C (TJ)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 60 V
  • ВГС (Макс) ±20V
  • Пакет/кейс TO-243AA
  • Пакет устройств поставщика MPT3
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 500mW (Ta)
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 2A (Ta)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 1.5V @ 1mA
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 2.5V, 4V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 160 pF @ 10 V
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 320mOhm @ 1A, 4V