2SK4124-1E

2SK4124-1E

Модель: 2SK4124-1E
Описание: MOSFET N-CH 500V 20A TO3P-3L
Инкапсуляция: -
Статус ROHS: -
Валюта: USD

Основные параметры

  • Тип монтажа Through Hole
  • Рабочая Температура 150°C (TJ)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 10V
  • ВГС (Макс) ±30V
  • Пакет/кейс TO-3P-3, SC-65-3
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 500 V
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 20A (Ta)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 430mOhm @ 8A, 10V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1200 pF @ 30 V
  • Пакет устройств поставщика TO-3P-3L
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 2.5W (Ta), 170W (Tc)
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 46.6 nC @ 10 V