2SK536-TB-E

2SK536-TB-E

Модель: 2SK536-TB-E
Описание: MOSFET N-CH 50V 100MA SC59
Инкапсуляция: -
Статус ROHS: Да
Валюта: USD

Основные параметры

  • Тип монтажа Surface Mount
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 10V
  • Пакет/кейс TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Рабочая Температура 125°C (TJ)
  • ВГС (Макс) ±12V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 50 V
  • Пакет устройств поставщика 3-CP
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 100mA (Ta)
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 200mW (Ta)
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 15 pF @ 10 V
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 20Ohm @ 10mA, 10V