3LP01M-TL-E

3LP01M-TL-E

Модель: 3LP01M-TL-E
Описание: MOSFET P-CH 30V 100MA 3MCP
Инкапсуляция: -
Статус ROHS: -
Валюта: USD

Основные параметры

  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура 150°C (TJ)
  • Пакет/кейс SC-70, SOT-323
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • ВГС (Макс) ±10V
  • Тип полевого транзистора P-Channel
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 30 V
  • Пакет устройств поставщика MCP
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 100mA (Ta)
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 1.5V, 4V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 150mW (Ta)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 10.4Ohm @ 50mA, 4V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 1.43 nC @ 10 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 7.5 pF @ 10 V