FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
AON2707
Модель：
AON2707
Категории товаров：
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Описание：
MOSFET P-CH 30V 4A 6DFN
Инкапсуляция：
-
Статус ROHS:
-
Валюта:
USD
Основные параметры
- Тип монтажа Surface Mount
- Пакет/кейс 6-WDFN Exposed Pad
- Пакет устройств поставщика 6-DFN (2x2)
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Тип полевого транзистора P-Channel
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 30 V
- ВГС (Макс) ±12V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 12 nC @ 10 V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 2.8W (Ta)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 1.5V @ 250µA
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 4A (Ta)
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 2.5V, 10V
- Особенность полевого транзистора Schottky Diode (Isolated)
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 305 pF @ 15 V
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 117mOhm @ 4A, 10V
