FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
AOV11S60
Модель：
AOV11S60
Категории товаров：
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Описание：
MOSFET N-CH 600V 650MA/8A 4DFN
Инкапсуляция：
Tape & Reel (TR)
Статус ROHS:
Да
Валюта:
USD
Основные параметры
- Тип монтажа Surface Mount
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 10V
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- ВГС (Макс) ±30V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 600 V
- Пакет устройств поставщика 4-DFN (8x8)
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 11 nC @ 10 V
- Пакет/кейс 4-PowerTSFN
- Vgs(th) (Макс) @ Id 4.1V @ 250µA
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 545 pF @ 100 V
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 500mOhm @ 3.8A, 10V
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 650mA (Ta), 8A (Tc)
- Рассеиваемая мощность (макс.) 8.3W (Ta), 156W (Tc)
