FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
APT10M09B2VFRG
Модель：
APT10M09B2VFRG
Категории товаров：
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Бренд：
Microsemi Corporation
Описание：
MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX
Инкапсуляция：
-
Статус ROHS:
-
Валюта:
USD
Основные параметры
- Тип монтажа Through Hole
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 100 V
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 100A (Tc)
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 10V
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- ВГС (Макс) ±30V
- Vgs(th) (Макс) @ Id 4V @ 2.5mA
- Пакет/кейс TO-247-3 Variant
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 350 nC @ 10 V
- Пакет устройств поставщика T-MAX™ [B2]
- Рассеиваемая мощность (макс.) 625W (Tc)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 9mOhm @ 50A, 10V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 9875 pF @ 25 V
