FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
APT11N80KC3G
Модель：
APT11N80KC3G
Категории товаров：
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Бренд：
Microsemi Corporation
Описание：
MOSFET N-CH 800V 11A TO220
Инкапсуляция：
-
Статус ROHS:
-
Валюта:
USD
Основные параметры
- Тип монтажа Through Hole
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- ВГС (Макс) ±20V
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 10V
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Пакет/кейс TO-220-3
- Рассеиваемая мощность (макс.) 156W (Tc)
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 800 V
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 11A (Tc)
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 60 nC @ 10 V
- Пакет устройств поставщика TO-220 [K]
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1585 pF @ 25 V
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 450mOhm @ 7.1A, 10V
- Vgs(th) (Макс) @ Id 3.9V @ 680µA
