FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
APT30N60KC6
Модель：
APT30N60KC6
Категории товаров：
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Бренд：
Microsemi Corporation
Описание：
MOSFET N-CH 600V 30A TO220
Инкапсуляция：
-
Статус ROHS:
-
Валюта:
USD
Основные параметры
- Тип монтажа Through Hole
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Пакет/кейс TO-220-3
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 600 V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 88 nC @ 10 V
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 30A (Tc)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 125mOhm @ 14.5A, 10V
- Vgs(th) (Макс) @ Id 3.5V @ 960µA
- Рассеиваемая мощность (макс.) 219W (Tc)
- Пакет устройств поставщика TO-220 [K]
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 2267 pF @ 25 V
