FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
APT31N60BCSG
Модель：
APT31N60BCSG
Категории товаров：
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Бренд：
Microsemi Corporation
Описание：
MOSFET N-CH 600V 31A TO247-3
Инкапсуляция：
Tube
Статус ROHS:
-
Валюта:
USD
Основные параметры
- Тип монтажа Through Hole
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 10V
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- ВГС (Макс) ±30V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 600 V
- Пакет/кейс TO-247-3
- Пакет устройств поставщика TO-247-3
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 85 nC @ 10 V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 255W (Tc)
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 31A (Tc)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 3.9V @ 1.2mA
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 100mOhm @ 18A, 10V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 3055 pF @ 25 V
